Sākumlapa › Forumi › Notepad.lv › IT ziņas › 3D tranzistori – jau netālā nākotnē
2004. gadā dibinātā japāņu zinātniskās pētniecības kompānija Unisantis Electronics jau tuvākajā laikā gatavojas izstrādāt 3D- lauktranzistoru, kurš ļaus palielināt mikroshēmu darbības ātrumu 10 reizes.
Jaunajam izstrādājumam dots nosaukums “tranzistors ar aptverošu aizvaru” jeb Surrounding Gate Transistor, SGT.
Atšķirībā no mūsdienu planārajiem 2D tranzistoriem jaunais būs trīsdimensiju. Par pamatu tam kalpos vertikāls silīcija pusvadītāja stienītis. Līdz ar to katrs tranzistors mikroshēmas kristālā aizņems mazāku laukumu, elektroniem nāksies skriet mazākas distances no tranzistora uz tranzistoru. Rezultāts – daudz lielāka ātrdarbība, mazāki enerģijas zudumi siltuma veidā.
Projektu vadīs zinātnieks Fujio Masuoka, kurs pazīstams kā flash atmiņu
Pirmie rezultāti top solīti jau pēc diviem gadiem; gaidāms, ka uz SGT bāzes konstruētu procesoru taktsfrekvence varētu sasniegt 20 un pat 50 GHz.
Teorētiski tad varēs DualCore līmeņa CPU iebūvēt telefonā…;)
Jaunā tranzistora uzbūve:
[img]
Avots:
muusdienu planaarie tranzistori(preciizaak izsakoties – triodes :>) nav divdimensiju…..
apskaties uz bildi un padomaa – kaadaa veida tiks veikta silicija plasju vertikalizaacija un kristaalu saaudzeesjana vertiukaalaa plaknee?
ja veel reiz paskatiisies uz bildi, tad sapratiisi, ka sjii tehnologjija pagjeer ieveerojami lielaaku attaalumu no viena elementa sources uz otra elementa geitu nekaa sjobriid izmantotaa planaari-epitaksiaalaa….
piekriitu, ka jaudas elementiem sjii tehnologjija ieveerojami atslogos termorezjiimu, ibo izkliedes virsma ir juutami lielaaka….
Preses relīzes