[imgl]https://notepad.lv/userpix/28_intellogo1_1.jpg[/imgl]Intel un Micron Technology kopuzņēmums apguvis NAND atmiņas mikroshēmu ražošanu ar 20 nm tehnoloģisko procesu iepriekšējā 25 nm vietā. Tagad čipi kļuvuši vēl par 30-40% izmēros mazāki, kas ļauj tajos ievietot vairāk atmiņas un samazināt energopatēriņu. Jau ražo 20 nm daudzlīmeņu struktūras (MLC) atmiņas mikroshēmu testa partijas ar 8 GB ietilpību, kuru kristāls aizņem 118 mm2 platību. Mazāki izmēri galarezultātā ļauj uzlabot ierīču parametrus – lietot lielākas baterijas, ekrānus, vai palielināt atmiņas apjomus.
Kā ziņo Intel preses dienests, 20 nm tehnoloģijas mikroshēmām ir tāda pat ātrdarbība un kalpošanas ilgums. Drīzumā plānots sākt ražot arī čipus – 16 GB datu glabātuves. Galvenokārt šos izstrādājumus pielietos pusvadītāju cietajos diskos (SSD), pie kam ierīču izmērus varēs samazināt ļoti pamatīgi.

[img]https://notepad.lv/userpix/28_440_a5ad5_1.jpg[/img]
Avots