Samsung apguvis 10 nm čipus mobilajām ierīcēm

[samurajs]

Samsung Electronics paziņojis par 10 nm čipu masveida ražošanu. Š ajos pusvadītāju izstrādājumos tranzistora aizvars ir tikai 10 nm (0.00001 mm) plats. 3D FinFET tehnoloģijā izgatavotās mikroshēmas plāno izmantot nākamā gada modeļos, un visdrīzāk tas varētu būt viedtālrunis Galaxy S8. Jau agrāk resurss Electronic Times pieminēja, ka Samsung gatavojas 10 nm tehnoloģijā ražot procesoru Qualcomm Snapdragon 830.

Sagaida, ka 10 nm čipi būs par 27% veiktspējīgāki pie 40% mazāka energopatēriņa. Arī uz standarta 300 mm sagataves (wafer) šādu čipu ietilps par 30% vairāk. Š obrīd ražo 10 nm SoC pirmo paaudzi ar koda nosaukumu 10LPE. Nākamajā gadā sāks ražot otro paaudzi ar uzlabotiem parametriem – 10LPP. Š obrīd Samsung mobilos procesorus ražo 14 nm tehnoloģijā; pavisam nesen izlaida modeļus Exynos 7 Quad 7570 un 3D FinFET Exynos 7 Dual 7270.

[img]https://notepad.lv/userpix/28_gsmarena_002_9.jpg[/img]

[ruukjis]

Būtu labāk apguviši kā pareizi baterijas telefoniem taisīt…

[Autors]

Ieraksti