Samsung apguvis 3D zibatmiņu ražošanu

[samurajs]

Elektronikas ražotājs Samsung paziņojis par 16 GB zibatmiņu čipu izlaides uzsākšanu, kurās izmantota jauna tehnoloģija 3D V-NAND, kas norāda uz atmiņas šūnu telpisku izvietojumu. Flash atmiņas pastāv jau 40 gadus, un līdz pat šim laikam tās izgatavoja kā planārus kristālus. Ietilpības palielināšanu visu laiku nodrošināja atmiņas šūnu izmēru samazināšana. Tomēr, tehnoloģiskajām normām tuvojoties 10 nm, parādās interferences efekti, kas strauji samazina datu glabāšanas noturību.

Lai novērstu kaitīgās ietekmes, izstrādāta 3D V-NAND tehnoloģija, kas atgādina kārtainu pīrāgu. Atmiņas šūnas izvietotas slāņos daudzstāvu konstrukcijā. Katrā slānī paredzētas atveres, caur kurām slāņus savieno savā starpā. Š ādu pīrāga kārtu var būt līdz 24.

Kā apgalvo Samsung, tagad nebūšot nekādu problēmu apgādāt piezīmjdatorus ar 1 TB SSD. Bez tam salīdzinājumā ar standarta 10 nm čipiem 3D V-NAND būšot 2-10 reižu drošāki, kā arī dubultošot datu pārraides ātrumu.

Attēlā: ieslēgti korpusā, vizuāli jaunie čipi neatšķiras no iepriekšējiem.

[img]https://notepad.lv/userpix/28_440_1_31861_1.jpg[/img]

Avots

[Peteris Skabarga]

Vai tad MLC Nand jau to nenodrošināja? Vai arī MLC varēja atcerēties vairākus stāvokļus?

[martinsbalodis]

Š ī droši vien ir samsung atbilde uz crossbar rram tehnoloģiju.

[piwchix]

MLC “atcerējās” viena kristāla divas vērtības.

Nebūtu slikti šīs tehnoloģijas apvienot. 🙂

[Autors]

Ieraksti