Visticamāk, ka Samsung Galaxy S5 jau iznāks ar 3 GB RAM, jo attiecīgos moduļus kompānija sākusi ražot sērijveidā. Tie ir 20 nm tehnoloģijas Low-Power Double Data Rate 3 (LPDDR3) DRAM ar diviem 1,5 GB kanāliem. Līdz ar to atmiņas kanāli ar procesoru komunicēs paralēli un simetriski, ar 2133 Mbps ātrumu katrs.
Konstruktīvi jaunie RAM sastāv no sešiem 512 MB kristāliem, kuri samontēti divās “trīsstāvu mājiņās”. Tomēr katras mājiņas augstums nepārsniedz 0,8 mm. Liels atmiņas apjoms ar platu caurlaides joslu būs nepieciešams nākamās paaudzes 4G/LTE-A (LTE Advanced) tīkliem. Pirmās mobilās ierīces ar 3 GB RAM sola jau šā gada beigās.

[img]https://notepad.lv/userpix/28_samsung_artwork_lpddr_1.jpg[/img]
Avots