2004. gadā dibinātā japāņu zinātniskās pētniecības kompānija Unisantis Electronics jau tuvākajā laikā gatavojas izstrādāt 3D- lauktranzistoru, kurš ļaus palielināt mikroshēmu darbības ātrumu 10 reizes.
Jaunajam izstrādājumam dots nosaukums "tranzistors ar aptverošu aizvaru" jeb Surrounding Gate Transistor, SGT.
Atšķirībā no mūsdienu planārajiem 2D tranzistoriem jaunais būs trīsdimensiju. Par pamatu tam kalpos vertikāls silīcija pusvadītāja stienītis. Līdz ar to katrs tranzistors mikroshēmas kristālā aizņems mazāku laukumu, elektroniem nāksies skriet mazākas distances no tranzistora uz tranzistoru. Rezultāts - daudz lielāka ātrdarbība, mazāki enerģijas zudumi siltuma veidā.
Projektu vadīs zinātnieks Fujio Masuoka, kurs pazīstams kā flash atmiņu izgudrotājs.
Pirmie rezultāti top solīti jau pēc diviem gadiem; gaidāms, ka uz SGT bāzes konstruētu procesoru taktsfrekvence varētu sasniegt 20 un pat 50 GHz.
Teorētiski tad varēs DualCore līmeņa CPU iebūvēt telefonā...;)
Jaunā tranzistora uzbūve:

Avots: http://cnews.ru/news/top/index.shtml?2007/12/10/278720